BC856S, bc857s BC856S, bc857s smd general purpose pnp transistors smd universal-pnp-transistoren i c = - 100 ma h fe = 220...475 t jmax = 150c v ceo = - 45 v, - 65 v p tot = 250 mw version 2018-02-07 sot-363 dimensions - ma?e [mm] typical applications signal processing, switching, amplification commercial grade 1 ) typische anwendungen signalverarbeitung, schalten, verst?rken standardausfhrung 1 ) features two transistors in one package general purpose compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten zwei transistoren in einem geh?use universell anwendbar konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) taped and reeled 3000 / 7 gegurtet auf rolle weight approx. 0.01 g gewicht ca. case material ul 94v-0 geh?usematerial solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einbaubedingungen msl = 1 dual transistors t1 1 = e1 2 = b1 6 = c1 t2 3 = c2 4 = e2 5 = b2 type code BC856S 3b bc857s 3f maximum ratings 2 ) grenzwerte 2 ) BC856S bc857s collector-emitter-voltage C kollektor-emitter-spannung b open - v ceo 65 v 45 v collector-base-voltage C kollektor-basis-spannung e open - v cbo 80 v 50 v emitter-base-voltage C emitter-basis-spannung c open - v ebo 5 v power dissipation (per device) C verlustleistung (pro bauteil) p tot 250 mw 3 ) collector current C kollektorstrom dc - i c 100 ma peak collector current C kollektor-spitzenstrom - i cm 200 ma junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t s t j -55...+150c -55...+150c 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches 2 t a = 25c and per transistor, unless otherwise specified C t a = 25c und pro transistor, wenn nicht anders angegeben 3 mounted on p.c. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal montage auf leiterplatte mit 3 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 pb e l v w e e e r o h s 2.4 2 x 0.65 5 6 4 1 . 2 5 0 . 1 0.9 0.1 2 0.1 2 . 1 0 . 1 type code 3 2 1 t2 t1 5 6 4 3 2 1
BC856S, bc857s characteristics kennwerte t j = 25c min. typ. max. dc current gain C kollektor-basis-stromverh?ltnis - v ce = 5 v - i c = 2 ma h fe 220 C 475 collector-emitter saturation voltage C kollektor-s?ttigungsspannung 1 ) - i c = 10 ma - i b = 0.5 ma - i c = 100 ma - i b = 5 ma - v cesat C C C C 300 mv 650 mv base-emitter-voltage C basis-emitter-spannung 1 ) - v ce = 5 v - i c = 2 ma - i c = 10 ma - v be 600 mv C C C 750 mv 820 mv collector-base cutoff current C kollektor-basis-reststrom - v cb = 30 v e open - i cbo C C 15 na emitter-base cutoff current C emitter-basis-reststrom - v eb = 5 v c open - i ebo C C 100 na gain-bandwidth product C transitfrequenz - v ce = 5 v, - i c = 10 ma, f = 100 mhz f t 100 mhz C C collector-base capacitance C kollektor-basis-kapazit?t - v cb = 10 v, - i e =i e = 0, f = 1 mhz c cbo C C 4.5 pf thermal resistance junction to ambient (per device) w?rmewiderstand sperrschicht C umgebung (pro bauteil) r tha < 420 k/w 2 ) disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 1 tested with pulses t p = 300 s, duty cycle 2% C gemessen mit impulsen t p = 300 s, schaltverh?ltnis 2% 2 mounted on p.c. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal montage auf leiterplatte mit 3 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag [%] p tot 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 power dissipation versus ambient temperature ) 2 verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 2
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